RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сравнить
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
26
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
17.5
Скорость записи, Гб/сек
8.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1677
3260
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB Сравнения RAM
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link