RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сравнить
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
26
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
17.5
Скорость записи, Гб/сек
8.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1677
3260
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB Сравнения RAM
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link