Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB против SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 37
    Около 32% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.1 left arrow 15.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    11.6 left arrow 10.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 12800
    Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    25 left arrow 37
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.1 left arrow 15.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    10.1 left arrow 11.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2764 left arrow 2321
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения