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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.6
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
37
读取速度,GB/s
16.1
15.4
写入速度,GB/s
10.1
11.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2321
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
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