RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Сравнить
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
40
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
11.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
27
Скорость чтения, Гб/сек
11.3
19.1
Скорость записи, Гб/сек
7.5
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1654
3784
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link