RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2847
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link