RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2847
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link