RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сравнить
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
40
Около -43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
11.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.3
14.3
Скорость записи, Гб/сек
7.5
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1654
2481
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT84GL7AMR4C-RD 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link