RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Сравнить
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
40
Около -43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
11.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.3
17.1
Скорость записи, Гб/сек
7.5
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1654
3480
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link