RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
94
Около -262% меньшая задержка
Выше скорость чтения
23.7
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.3
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
26
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
23.7
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
4124
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link