A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Средняя оценка

Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB

Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Сообщить об ошибке

Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB

Причины выбрать
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 94

Около -224% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.4 1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.1 1,165.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

94 29
Скорость чтения, Гб/сек

1,882.0 18.4
Скорость записи, Гб/сек

1,165.4 15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

305 3723

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB

SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB

DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Kingston 9905625-030.A00G 8GB

Kingston 9905625-030.A00G 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB

Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Kingston X0N6VG-HYD2 16GB

Kingston X0N6VG-HYD2 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB

Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB

Kingston 9905701-004.A00G 16GB

Kingston 9905701-004.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB

Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB

модули RAM