RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Kingston 9905625-030.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
10.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
60
Около -67% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
36
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
14.5
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2608
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link