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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905625-030.A00G 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
60
左右 -67% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
36
读取速度,GB/s
4,595.2
14.5
写入速度,GB/s
2,168.2
10.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2608
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
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