RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
94
Около -176% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
34
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
2831
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link