RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
94
Около -276% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
25
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
3187
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link