RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
94
Около -141% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.5
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
39
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
11.5
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
1881
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link