RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
94
Около -276% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
25
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
20.2
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
4046
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link