RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.8
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
2104
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link