RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB против Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около 18% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
2987
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link