RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
60
Около 57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
4.6
2.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
60
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
7.8
Скорость записи, Гб/сек
4.6
2.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1560
1505
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link