RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
60
Около 57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
4.6
2.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
60
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
7.8
Скорость записи, Гб/сек
4.6
2.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1560
1505
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link