RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
26
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
4.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
23
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
17.5
Скорость записи, Гб/сек
4.6
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1560
3260
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link