A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Средняя оценка

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Причины выбрать
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 36

Около 28% меньшая задержка

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

14.7 9.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.6 4.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 36
Скорость чтения, Гб/сек

9.8 14.7
Скорость записи, Гб/сек

4.6 10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1560 2998

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

модули RAM

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB

Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB

Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB

Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB

Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB

Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB

Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB

Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM