RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
44
Около 41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
8.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
44
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
10.6
Скорость записи, Гб/сек
9.1
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2330
2374
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Сравнения RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link