A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Средняя оценка

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Причины выбрать
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 29

Около 10% меньшая задержка

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.8 14

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.2 9.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 29
Скорость чтения, Гб/сек

14.0 15.8
Скорость записи, Гб/сек

9.1 12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2330 2865

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

A-DATA Technology DDR4 3000 8GB

A-DATA Technology DDR4 3000 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB

Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB

Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB

Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB

V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB

модули RAM

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Kingston 9905701-020.A00G 16GB

Kingston 9905701-020.A00G 16GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB

модули RAM