RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
29
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
9.1
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2330
2711
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Сравнения RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link