RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB против Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
37
Около 30% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.4
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
37
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
14.4
Скорость записи, Гб/сек
9.1
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2330
2179
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Сравнения RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link