A-DATA Technology DDR2 800G 2GB против Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Средняя оценка

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Причины выбрать
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

5 16.1

Среднее значение в тестах

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Причины выбрать
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 49

Около -113% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.9 2,343.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 23
Скорость чтения, Гб/сек

5,135.8 16.1
Скорость записи, Гб/сек

2,343.1 9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

843 2591

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB

модули RAM

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB

Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB

Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kingston 99U5700-010.A00G 8GB

Kingston 99U5700-010.A00G 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Kingston 9905678-138.A00G 8GB

Kingston 9905678-138.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB

Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB

G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB

модули RAM

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB

Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB

Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB

модули RAM