RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB против Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
40
Около -43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
10600
Около 2.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
17.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
23400
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2097
3419
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB Сравнения RAM
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link