RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сравнить
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
41
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
29
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
12.2
Скорость записи, Гб/сек
8.5
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2324
2443
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link