RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB против Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
83
Около 51% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.5
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
14
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
83
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
14.3
Скорость записи, Гб/сек
8.5
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2324
1774
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link