A-DATA Technology DDR4 2400 16GB против SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

Средняя оценка

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 54

Около 44% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.8 15.7

Среднее значение в тестах

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Причины выбрать
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

11.6 11.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 17000

Около 1.51 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

30 54
Скорость чтения, Гб/сек

16.8 15.7
Скорость записи, Гб/сек

11.5 11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

17000 25600

Other

Описание

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3019 2511

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB

Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB

модули RAM

Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB

Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB

Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB

Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB

Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB

Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB

Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB

Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB

Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB

модули RAM

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB

модули RAM