RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB против A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
56
106
Около 47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
5.6
1,925.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
106
Скорость чтения, Гб/сек
4,315.2
13.1
Скорость записи, Гб/сек
1,925.7
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
658
1252
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Сравнения RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link