RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
56
Около -19% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.6
1,925.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
47
Скорость чтения, Гб/сек
4,315.2
14.8
Скорость записи, Гб/сек
1,925.7
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
658
2875
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Сравнения RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Mushkin 996902 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link