RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
52
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.6
1,145.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
4200
Около 4.05 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,614.5
18.9
Скорость записи, Гб/сек
1,145.9
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
17000
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
409
3504
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link