RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
66
Около -136% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.8
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
18.1
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
3564
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link