RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
66
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.6
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
40
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
14.8
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2786
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston 9905403-198.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link