RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
66
Около -113% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.1
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
31
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
16.9
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2577
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link