RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
66
Около -128% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.6
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
17.4
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
3302
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link