Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Средняя оценка

Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB

Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 14

Среднее значение в тестах

Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB

Причины выбрать
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

69 77

Около -12% меньшая задержка
Выше скорость записи

6.1 2,622.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

77 69
Скорость чтения, Гб/сек

3,405.2 14.0
Скорость записи, Гб/сек

2,622.0 6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

763 1542

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB

V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB

V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB

Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB

Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB

Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Kingston 99U5723-002.A00G 8GB

Kingston 99U5723-002.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB

Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB

Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB

G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB

модули RAM

King Tiger Technology Tigo-1600Mhz-8G 8GB

King Tiger Technology Tigo-1600Mhz-8G 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Kingston 9965525-153.A00LF 8GB

Kingston 9965525-153.A00LF 8GB

модули RAM