RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
50
Около -72% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.1
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
17.8
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
3434
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link