RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
50
Autour de -72% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
3434
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link