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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
50
Autour de -72% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
3434
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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