RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
50
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3434
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link