RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
66
Около -78% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.8
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
37
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
10.4
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2213
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link