RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
66
Около -113% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.4
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
31
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
12.5
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2361
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link