RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB против Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
58
68
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.7
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.5
2,285.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
58
Скорость чтения, Гб/сек
4,165.3
9.7
Скорость записи, Гб/сек
2,285.0
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
784
2172
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link