RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology MI64C1D1629Z1 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сравнить
A-DATA Technology MI64C1D1629Z1 8GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology MI64C1D1629Z1 8GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology MI64C1D1629Z1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
54
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology MI64C1D1629Z1 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
54
Скорость чтения, Гб/сек
14.1
15.2
Скорость записи, Гб/сек
9.1
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2464
2938
A-DATA Technology MI64C1D1629Z1 8GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology MI64C1D1629Z1 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link