RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB

G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 22.4
    Среднее значение в тестах
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    23 left arrow 65
    Около -183% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    20.1 left arrow 1,592.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 5300
    Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    65 left arrow 23
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,580.8 left arrow 22.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,592.0 left arrow 20.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    572 left arrow 4421

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
модули RAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
модули RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
модули RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
модули RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
модули RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
модули RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
модули RAM