RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против AMD R9S48G3206U2S 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
13.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
46
Около -24% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
37
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
20.6
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
3518
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
AMD R9S48G3206U2S 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link