RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
21.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
46
Около -156% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
18
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
21.3
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
3836
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G1600L81S 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link