A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

46 64

Около 28% меньшая задержка
Выше скорость чтения

4 17.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,061.2 10.0

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 64
Скорость чтения, Гб/сек

4,937.3 17.3
Скорость записи, Гб/сек

2,061.2 10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

759 2181

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB

ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB

Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB

Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 9965669-008.A03G 16GB

Kingston 9965669-008.A03G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB

Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB

Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

модули RAM