A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB

G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 15.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,061.2 13.5

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 46

Около -53% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 30
Скорость чтения, Гб/сек

4,937.3 15.7
Скорость записи, Гб/сек

2,061.2 13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

759 3495

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB

Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB

King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB

Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB

Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB

Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB

Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB

Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Kingston 99U5665-004.A00G 4GB

Kingston 99U5665-004.A00G 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB

Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Kingston 9905701-032.A00G 16GB

Kingston 9905701-032.A00G 16GB

модули RAM