RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
33
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.5
Скорость записи, Гб/сек
10.1
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2913
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Jinyu 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
A-DATA Technology DDR3 2133X 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link